-
MonoBank6 мес
-
OTP Bank10 мес
-
Укрсиббанк9 мес
-
Приват банк Оплата частями4 мес
3D V-NAND. SSD-накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 Evo имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры.
Работает быстрее и дольше. SSD-накопитель серии 850 Evo позволит вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше — благодаря высокоэффективному управлению энергопотреблением. В специальном режиме сна DIPM (Device Initiated Link Power Management) SSD-накопитель 850 Evo потребляет всего лишь 2 мВт — в десятки раз меньше, чем типичные SSD-накопители без поддержки DIPM, не говоря уже об обычных жёстких дисках. Кроме того, использование 3D V-NAND и буферной памяти типа LPDDR2 вместо обычно DDR2 или DDR3 позволяет снизить энергопотребление накопителя даже при активной работе. Динамическая теплозащита. Динамическая теплозащита в накопителях 850 Evo также обеспечивает сохранность ваших данных.
Название | Samsung 850 Evo-Series 1TB 2.5" SATA III 3D V-NAND (MZ-75E1T0BW) |
---|---|
Гарантийный срок | 60 месяцев |
Цвет | Black |
1C code | 000024324 |
Производитель | Samsung |
Ёмкость накопителя | 1 ТБ |
Скорость чтения | 540 Мб/сек |
Форм-фактор | 2.5" |
Тип памяти | TLC |
Интерфейс | SATAIII |
Контроллер | Samsung MGX |
Тип жесткого диска | Внутренний |
Технология | SSD |
Особенности | Скорость чтения: до 540 МБ/сек Скорость записи: до 520 МБ/сек Тип ячеек памяти: 3D V-NAND Устойчивость к ударным нагрузкам: 1500 G Контроллер: Samsung MGX Время наработки на отказ: 1.5 млн часов |
Тип коннектора питания | SATA III |